买卖IC网 >> 产品目录 >> NE25118-U73 射频GaAs晶体管 Dual Gate MESFET datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

NE25118-U73

库存数量：可订货
制造商：NEC/CEL
描述：射频GaAs晶体管 Dual Gate MESFET
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> 射频GaAs晶体管
描述 射频GaAs晶体管 Dual Gate MESFET
NE25118-U73 PDF下载
制造商 NEC/CEL
技术类型 MESFET
频率 0.9 GHz
增益 20 dB
噪声系数 1.1 dB
正向跨导 gFS（最大值/最小值） 25 mS
漏源电压 VDS 13 V
闸/源击穿电压 - 4.5 V
漏极连续电流 20 mA
最大工作温度 + 125 C
功率耗散 120 mW
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 SOT-343
相关资料
属性
链接
代理商 NE25118-U73
NE25139-T1
NE25139-T1-U72
NE25139-T1-U73
NE25339-T1
NE2602
供应商
公司名
电话
深圳市司马科技有限公司 13533399478 陈义
深圳市德会鑫科技有限公司 18672855211 欧阳
北京元坤伟业科技有限公司 010-62104931 刘先生
深圳市华盛锦科技有限公司 0755-82798020 张先生/雷小姐
  • NE25118-U73 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
  • NE25118-U73 相关型号
  • NE72218
    射频GaAs晶体管 RO 551-NE34018 5/04
    NE8500295-4
    射频GaAs晶体管 2W C Band MESFET
    NE8500295-6
    射频GaAs晶体管 2W C Band MESFET
    NE651R479A-EVPW26
    射频GaAs晶体管 For NE651R479A-A Power at 2.6 GHz
    NE6500379A-T1
    射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs MESFET
    NE960R275
    射频GaAs晶体管 X KU Band MESFET
    NE6500379A
    射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs MESFET
    NE850R599A
    射频GaAs晶体管 0.5W C-Band MESFET
    NE6500496
    射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs MESFET
    NE8500199
    射频GaAs晶体管 1W C Band MESFET